نشر التدريسي من قسم الفيزياء في كلية التربية للعلوم الصرفة (أ.م.د. احمد خير الله شهيد) بحثا علمياً بعنوان (Morphological properties of nanocrystallin silicon from p- type bulk silicon) الخصائص المورفولوجية للسيليكون النانوي من السليكون السائب من النوع p.
وقد تضمن البحث دراسة طوبغرافية للنموذج النانوي للسليكون الاسفنجي بتغيير زمن القشط بأستخدام القشط الكيميائي الكهربائي بمساعدة حامض الهيدروفلوريك بتركيز (٣٩-٤٣%) وبفولتية ( volt D .C٦ ) مع وجود الايثانول ٩٩,٩% وبنسبة خلط ( ٢:١ ).
حيث كان الهدف من البحث دراسة تأثير زمن القشط على الخواص التشكيلية وبفحص الصور الخاصة بالمجهر الالكتروني الماسح مع دراسة مسامية السليكون الاسفنجي وسمك طبقة المادة النانوية له.
